DR平板探測(cè)器又出新技術(shù),商業(yè)化指日可待
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醫(yī)用X射線(xiàn)探測(cè)器是普放設(shè)備最核心的部件之一,可以分為平板探測(cè)器、CCD探測(cè)器和一線(xiàn)掃描探測(cè)器。
其中,平板探測(cè)器是目前的主流應(yīng)用,其使用材料包括非晶硅、非晶硒、CMOS(互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體)和IGZO(銦鎵鋅氧化物)。

非晶硒平板探測(cè)器雖然成像質(zhì)量更好,但由于受壽命、成本、穩(wěn)定性、易損性等條件所限,尚未成為主流探測(cè)器材料。因此目前市場(chǎng)上平板探測(cè)器以非晶硅材料占主導(dǎo)地位。
市場(chǎng)研究和戰(zhàn)略咨詢(xún)公司Yole的報(bào)告顯示:
使用非晶硅和CMOS的平板探測(cè)器市場(chǎng)份額最大,2018年為13億美元營(yíng)收規(guī)模。
作為一種剛剛興起的新型材料,IGZO平板將于2021年強(qiáng)勢(shì)進(jìn)入X射線(xiàn)探測(cè)器市場(chǎng),到2024年市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)到2.36億美元。
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