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2021年6月8日，美國國會參議院通過了長達1400多頁《2021美國創(chuàng)新與競爭法案》，這項法案計劃撥款約2500億美元。

《美國創(chuàng)新與競爭法案》源自舒默和托德·楊去年共同提出的《無盡前沿法案》。2021年初，美國國會曾醞釀要通過多項能夠得到跨黨派支持和規(guī)模宏大的法案，以增強美國的科技創(chuàng)新和重建美國的制造業(yè)。在這些法案中，由參議院多數黨領袖、紐約州民主黨參議員舒默和印第安納州共和黨參議員托德·楊共同起草的《無盡前沿法案》曾被認為最有可能高票通過。

然而，幾個月下來，該法案經歷了曲折復雜的變化。參議員們吵得最兇的，是資金如何分配。每個人都想在法案里填上一筆，確保自己能分到一杯羹，在這個過程中，但凡出現(xiàn)修改，就必須再次重復流程。華盛頓州參議員瑪麗亞·坎特威爾要求法案里加入幫助波音公司的條款，波音公司的生產基地在華盛頓州；密歇根州民主黨參議員加里·彼得斯要求拿出20億，緩解汽車廠關閉的問題，密歇根州最大的城市就是底特律。參議員們提出了多達230項修正案。

原法案中為新技術和創(chuàng)新理事會提供的1000億美元預算被砍為290億美元，其他預算則被轉給美國能源部在幾個州的實驗室。共和黨成員聲稱，他們會在最終的投票時，將《無盡前沿法案》的內容“全部刪除”。

2021年5月18日，舒默推出了一個新的替代案，即《美國創(chuàng)新與競爭法案》，用以取代《無盡前沿法案》，除了在NSF設立技術與創(chuàng)新學部、在未來五年內為NSF撥款810億美元（其中包括給新成立的學部分配290億美元）、五年內撥款100億美元由商務部主導成立10個區(qū)域技術創(chuàng)新中心等措施之外，又增加了撥款527億美元用于提升國內半導體制造產業(yè)，撥款15億美元用于5G創(chuàng)新等內容。

該法案提交給美國國會參議院的有3個版本，分別為15頁的簡要概述、85頁的簡版和1445頁的詳版。

未來5年投入大約1200億美元，用于包括人工智能、半導體、量子計算、先進通信、生物技術和先進能源在內的關鍵技術領域的基礎和先進研究、商業(yè)化、教育和培訓項目。

該法案主要涉及了4個立法目標：

1 在國家科學基金會（National Science Foundation，NSF）設立一個新的技術和創(chuàng)新理事會（DTI，Directorate for Technology and Innovation）

2 創(chuàng)設區(qū)域技術中心

3 針對經濟安全、科學、研究、創(chuàng)新、制造和就業(yè)建立一個戰(zhàn)略報告體系

4 設立供應鏈韌性和危機應對計劃的項目。

該法案的另一部分是《2021年戰(zhàn)略競爭法案》，這部分法案致力于讓美國減少對中國供應鏈的依賴，加強美國半導體產業(yè)實力，以及在科研領域增加研究經費等。

為應對中國的科技競爭，該法案還提出與盟友共享技術戰(zhàn)略，包括技術控制和標準，以及關于開發(fā)和獲取關鍵技術的戰(zhàn)略。

2022年1月25日美國眾議院公布了2900多頁的《美國競爭法案》，其中有520億美元關于芯片投資的內容，與2021年6月9日參議院通過的《美國創(chuàng)新與競爭法案》相同。

美國運用了一系列手段，目的就是想讓芯片制造業(yè)回流美國，重新奪回高科技領域的控制權。

雷蒙多認為：“半導體問題不會在一兩個月或12個月內得到解決，需要很長時間才能解決。這是一個重大的國家安全問題。美國國內不生產任何領先的尖端微型芯片，唯一的解決辦法是聯(lián)邦政府鼓勵公司在美國生產這些芯片，這將需要數年時間。”

2021年10月26日，臺積電張忠謀給美國潑冷水：美國過去半導體制造市場占有率曾達42％，目前降至17％，美國政府積極推動半導體在地制造，希望讓半導體制造市場占有率回升。他認為，美國供應鏈不完整，且生產成本高，美國半導體在本地制造不可能會成功。

至于英特爾積極鼓吹美國政府補貼半導體廠，張忠謀表示，英特爾的動機是瞄準美國政府的補貼，只是這對亞洲，甚至是全世界的半導體廠都是挑戰(zhàn)。“如果你在美國制造芯片，但價格沒有更便宜，或者質量沒有更好，這將對制造商的決定產生強烈影響。”

根據美國半導體行業(yè)協(xié)會（SIA）的數據，全球75％的半導體產能集中在東亞，而美國半導體公司占全球產能的比例從1990年的37％一直跌到了現(xiàn)在的12％。美國半導體行業(yè)協(xié)會估計，未來只有6％的全球生產中心將設在在美國。

相比之下，在未來十年，中國大陸預計將增加約40％的產能，成為全球最大的半導體制造基地。

據美國半導體行業(yè)協(xié)會（SIA）估計，如果要在美國建新廠的話，新廠未來十年的總持有成本將比中國臺灣、韓國、新加坡高出30％，比中國大陸甚至高出37％至50％。

臺積電正在美國亞利桑那州廠建廠，作為5納米芯片的生產基地之一，預計2024年開始量產，月產能可達2萬片，2021年至2029年的投資將達到約120億美元。臺媒估計，臺積電還將在此地建四、五座廠。

然而，受到美國土木、電力系統(tǒng)缺工嚴重的影響，臺積電不僅建廠成本大增，進度也比預期大為落后。原本預計明年安裝設備，現(xiàn)在也只能往后推遲。