又一百億項目開工,青島芯片投資仍在狂奔!
青島圍繞芯片賽道的投資仍在狂奔。
11月25日上午,2023年四季度青島市高質量發展重大項目建設現場推進會議召開。在眾多項目中,西海岸新區和膠州各有一個重磅芯片產業項目落地開工。
其中,總投資30億元的致真存儲芯片制造項目,將在西海岸新區建設新一代存儲芯片生產線及研發中心。
總投資103億元的ASB芯片先進封測項目,在膠州膠萊街道建設先進封測基地及研發中心等,全部達產后可實現產值202億元。
值得注意的是,相比于此前已經集聚了芯恩、富士康等一批芯片項目的西海岸新區,膠州芯片產業短時間內異軍突起。
此前已落戶膠州的芯恒源存儲芯片切割研磨封測項目,預計今年12月投產。
根據膠州官方說法,ASB芯片先進封測項目將與芯恒源高端芯片SIP封裝等先進封測項目聚合組團,將為空港新城發展注入新動力,強力拉動上合新區新一代信息技術產業鏈上下游的發展。?
此外,加上城陽的物元半導體項目、算能科技項目,即墨的惠科半導體項目,嶗山的芯片設計平臺,青島芯片產業正在密集布點。
從產業鏈角度看,青島已經搭建起了從芯片設計到制造到封測的全鏈條產業。
從應用場景看,青島的芯片主要聚焦新能源汽車、家電、軌道交通等領域的功率半導體和存儲芯片、算力芯片等領域。
尤其是青島存儲器芯片的異軍突起,也成為了行業關注的焦點。
國內目前在建的存儲芯片項目中,青島占據了兩席,分別為致真存儲芯片項目和芯恒源存儲芯片切割研磨封測項目,總投資額達83.5億元。
隨著汽車電子化、智能化的發展,半導體存儲器在汽車電子領域的應用越來越廣泛。與此同時,以MRAM為代表的新型存儲器成為解決存儲芯片提高效能的突破口,這將是一個巨大的市場。

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從操盤手角度看,青島最近開工的芯片項目背景都不簡單。
ASB芯片先進封測項目與芯恒源高端芯片SIP封裝背后都是港資。
其中,芯恒源是鴻卓達(香港)科技有限公司全資子公司,注冊資本39000萬美元,行業分類為集成電路制造。
據青島膠東臨空經濟示范區今年2月消息,芯恒源存儲芯片切割研磨封測項目已累計完成外資到賬5338萬美元,投產后年進出口額約2億美元。?

實際上,早在2021年2月,鴻卓達就在山東棗莊成立了全資子公司山東芯恒光科技有限公司,后者主導的芯恒光電子信息產業園也成為山東省存儲類芯片封測的領先企業,項目總投資5800萬美元,總建筑面積16000平方,主要建設全自動高速SMT貼片生產線,嵌入式存儲芯片封裝測試線,固態硬盤SSD生產線,超薄U盤生產線。項目建成后,可實現年封測存儲芯片4000萬顆以上。
今年6月15日,鴻卓達(香港)科技有限公司又在西海岸新區注冊了全資子公司青島睿芯半導體有限責任公司,注冊資本3個月后增加到26900萬美元,所在行業分類為半導體器件專用設備制造。
ASB芯片先進封測項目背后同樣是港資,投資方之一的ASB國際公司,聚集了安靠科技、日月光、硅品科技等全球頂尖封測企業領軍人才,在先進封測領域具有超過30年研發的豐富經驗,已全面掌握尖端先進封測技術并具備量產實施的能力。
落戶城陽的物元半導體與算能集團、比特大陸等公司有著很深關聯,背后是山大知名校友、大名鼎鼎的比特大陸創始人詹克團。詹克團還擔任著算能集團主席一職。
位于西海岸新區的致真存儲項目,主要幕后控制人包括程厚義、曹凱華等,兩人出自北航系。

其中,程厚義為北航集成電路學院博士,研究方向為高性能薄膜沉積裝備和工藝。2021年,他在創立合肥致真精密設備有限公司,致力于推進高精度薄膜沉積設備的國產化替代。
曹凱華兼任青島微電子研究院院長助理,負責北航青島研究院8英寸自旋芯片后道工藝平臺,長期從事磁隨機存儲器核心器件制備工藝研究。
整體看,致真存儲團隊在自旋存儲芯片領域具有近二十年的科研基礎,專注于前沿MARM自旋存儲芯片的技術研發和生產,具備物理層面機理探索、材料研究、電路設計、芯片制造及應用開發的全流程能力,尤其在SOT-MARM領域,致真存儲的技術水平在全球處于行業領先地位。
2023年8月,致真存儲(北京)科技有限公司團隊自主研發的128Kb SOT-MRAM 芯片成功下線。這是繼1Kb SOT-MRAM流片成功后又一個重要的新一代磁存儲技術工藝研制里程碑,圍繞自旋軌道矩材料、磁性隧道結圖案化、專用電路設計等實現了多處技術突破,為新一代磁存儲芯片量產、國產高端存儲器技術突圍、后摩爾時代片上非易失性存儲開拓了道路。
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從應用領域看,青島這些芯片項目基本都瞄準了新能源汽車、軌道交通、人工智能算力等正在快速成長的市場。
比如,ASB芯片項目主要為車用電子、5G通訊、互聯網、穿戴型電子設備等提供完整封裝測試代工服務。?
致真存儲芯片制造項目則瞄準物聯網及汽車芯片存儲器市場,其產品主要滿足于工業類、消費類、人工智能、高可靠芯片領域、以及車規電子等場景下的存儲芯片應用需求。
而物元半導體封裝項目開發基于12寸國產襯底的超薄晶圓硅IGBT設計和制備技術,解決現有12寸超薄晶圓厚度一致性差、應力大和易碎等技術難題,打破國外硅IGBT關鍵技術封鎖,預計于2024年9月底建成試生產。

IGBT被稱為電力電子行業里的“CPU”,廣泛應用于電機節能、軌道交通、新能源汽車等領域,是目前發展最快的功率半導體器件之一。
據Yole數據顯示,2022年全球IGBT的市場規模約為68億美元,受益于新能源汽車、新能源、工業控制等領域的需求大幅增加,預計2026年全球IGBT市場規模將達到84億美元。中國是全球最大的IGBT市場,約占全球IGBT市場規模的40%,預計到2025年中國IGBT市場規模將達到522億元。
IGBT下游應用領域中,新能源汽車、消費電子、工業控制是最主要的應用領域。新能源汽車市場占比最大達31%,消費電子占比27%,工控領域是IGBT需求的重要支撐,市場占比20%。
除了先進封裝IGBT產品,物元半導體封裝項目面向的產品和服務還包括算力芯片產品、MEMS產品、硅介質產品、硅基電容無源器件產品等。
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從芯片環節看,青島這些新上馬的項目大多選擇了封裝測試環節。
之所以選擇封測領域,除了門檻低,另一個重要原因是,封測領域正在迎來技術變革。
一直以來,推動高算力芯片發展的主要動力是先進制程技術,也就是我們常說的8nm、4nm制程等。
但現在,人工智能對算力的需求,將芯片封裝技術的重要性提升至前所未有的高度,甚至是與先進制程技術相并列的高度,而2.5D、3D封裝技術備受業界重視。
簡單說就是,小米加步槍,一樣也能打贏坦克加大炮。
業內一直有傳言表示,采用12納米工藝生產的芯片,通過堆疊技術,性能有可能實現7納米芯片功能,而且這一技術已經實現量產。
11月23日在上海臨港舉行的“2023中國臨港國際半導體大會”上,臺積電(中國)有限公司副總經理陳平在主題演講中表示,“滿足未來AI在大算力芯片方面的需求,半導體還會沿著摩爾定律前進:一是在傳統工藝制程微縮上繼續前行;二是采用2.5D、3D封裝技術。”
這其中,Chiplet封裝將會是先進封裝技術的重要發展方向,可以把不同類型的芯片和器件集成在一起,以實現更高性能、更低功耗和更好的可靠性。
比如,長電科技已具有4納米chiplet技術,通富微電則擁有5納米chiplet技術,并且通富微電的5納米chiplet技術還獲得了AMD的認可而取得它數年的訂單合同,顯示出中國發展chiplet技術已與臺積電等相當。
而物元半導體的先進封裝技術平臺優勢,主要就是晶圓堆疊和小芯粒(Chiplet)異質鍵合及系統集成等先進封裝技術。
根據公開報道,物元半導體已經在城陽建成晶圓級堆疊先進封裝試驗線一條。
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Chiplet等先進封裝也給了半導體IP、EDA公司發展新機會,有可能對上游的設計環節帶來新的機遇。
以青島為例,跟物元半導體有著千絲萬縷聯系、也在青島布局的算能集團,承續了比特大陸在AI領域沉淀多年的技術、專利、產品和客戶,在AI芯片、RISC-V CPU等算力芯片的設計環節有著很強的競爭力。
下一步,算能集團和物元半導體聯合起來,可以實現算力芯片從設計到封測的鏈接。
同樣,青島這些封測項目,也可以跟晶圓制造環節的芯恩形成了產業鏈的上下游。
比如,相關報道在宣傳ASB芯片項目時就表示,項目專注于研發凸塊技術、晶圓級封裝、扇出型封裝、3D封裝等高端技術及工藝,可協同中芯國際等芯片制造大廠,在國內共同建立起從芯片制造到先進封裝測試完善的集成電路產業供應鏈。
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