國產概念股業績分化顯著

作者 | 勝馬財經 李察

編輯 | 歐陽文

全球存儲芯片行業正迎來前所未有的“超級周期”。AI基礎設施需求爆發引發的存儲產能“虹吸效應”，推動DRAM、NAND、HBM（高帶寬內存）等核心品類價格飆升，三星NAND閃存供應價格一季度漲幅超100%，遠超市場預期。

勝馬財經注意到，這一行業浪潮下，國內存儲芯片概念股業績呈現鮮明分化。據企業預警通2025年業績預告數據（截至1月26日），29家存儲芯片概念股中，20家實現凈利潤同比預增，9家預虧，行業“馬太效應”凸顯。同時，新思科技、美光等全球行業龍頭預警，存儲芯片緊缺局面將持續至2027年，部分機構預判可能延伸至2028年，國產廠商在這場供需重構中迎來機遇與挑戰并存的發展窗口期。

國產概念股業績分化 頭部與黑馬雙線領跑

從存儲芯片概念股2025年業績預告數據來看，行業盈利格局呈現“三層分化”特征，頭部企業的規模優勢與細分賽道黑馬的爆發力形成鮮明對比，而部分企業的虧損則暴露行業競爭短板。

頭部企業筑牢盈利壁壘，規模與增速雙優。數據顯示，凈利潤預測上限超15億元的企業共有3家，形成第一梯隊。大華股份以38.54億元的凈利潤預測上限位居榜首，同比增速上限達32.65%，其作為存儲模組領域的龍頭企業，受益于AI服務器與數據中心存儲需求的雙重拉動。

瀾起科技緊隨其后，凈利潤預測上限23.5億元，下限21.5億元，同比增速區間為52.29%-66.46%，公司在DDR5內存接口芯片領域的技術優勢，使其在高端存儲產業鏈中占據關鍵地位；兆易創新凈利潤預測上限16.1億元，同比增長46%，其2025年營業收入預計達92.03億元，同比增加25%，營收與利潤的同步增長，印證了公司在 NOR Flash 與 MCU 業務協同發展的成效。

這三家企業的業績表現，凸顯出頭部廠商在技術研發、客戶資源與產能布局上的競爭壁壘，在行業緊缺周期中更易獲得訂單與利潤優勢。

在業績預告中，多家中小市值企業展現出驚人的增長潛力，成為行業“第二增長曲線”的代表。佰維存儲（688525.SH）以520.22%的同比增速上限、427.19%的下限，成為增速最快的企業，其凈利潤預測區間為8.5億-10億元，公司在存儲模組與先進封裝領域的布局，精準契合了AI服務器對高性能存儲的需求，此前公司在投資者調研中也確認，2026年第一、二季度存儲產品價格有望持續上漲。

好上好與神工股份分別以175.35%、167.31%的同比增速上限緊隨其后，前者在存儲分銷與方案設計領域受益于消費電子存儲升級，后者則憑借半導體硅材料業務的技術突破，在存儲芯片上游材料環節占據先機。

香農芯創同比增速上限達134.78%，凈利潤預測區間4.8億-6.2億元，其存儲芯片代理業務與自研模組業務的協同，使其在行業漲價周期中快速兌現利潤。這些企業的爆發式增長，印證了存儲行業細分賽道的機遇——無論是HBM配套、存儲材料還是分銷環節，只要精準切入高需求領域，中小廠商也能實現跨越式發展。

有人歡喜有人憂，行業風口期，部分企業也未能逃脫虧損，行業風險加速暴露。與業績高增形成反差的是，9家企業在2025年預告虧損，折射出行業競爭的殘酷性。西安奕材以7.38億元的凈利潤預測上限（虧損）成為虧損額最高的企業、東芯股份、晶升股份同樣預計去年業績虧損。

復旦微電、盛景微雖未虧損但業績同比下滑明顯：復旦微電預計2025年凈利1.9億元至2.83億元，同比降幅50.58%至66.82%；盛景微預計凈利1000萬至1500萬元，同比降幅34.53%至56.35%。業績下滑核心原因是其產品未能適配AI驅動的高端存儲需求，仍依賴傳統消費電子市場，而該市場被HBM等高端產品擠壓，導致訂單與利潤雙降。

AI需求疊加產能傾斜 行業緊缺格局延至2027年

存儲芯片概念股的業績分化，本質上是行業結構性變革的縮影。2025-2026年，全球存儲芯片行業正經歷“需求重構、產能傾斜、技術升級”的三重變革，推動價格持續上漲，而這一緊缺格局預計將延續至2027年，為國產廠商帶來長期機遇。

AI需求重構存儲市場，高端產品成“戰略物資”。本輪存儲芯片漲價核心驅動力是AI基礎設施對高性能存儲“剛性饑渴”。一臺高性能AI服務器對DRAM的需求是傳統服務器的8-10倍，對NAND閃存的需求達3倍，存儲成本在AI服務器硬件總成本中的占比已從20%升至35%-40%。

尤其是HBM，作為AI大模型訓練的“必需品”，通過3D堆疊技術將帶寬提升至傳統內存的10倍以上，OpenAI、谷歌、微軟等巨頭為鎖定產能，不惜支付高額溢價，訂單已排至2027年以后。

這種需求并非短期波動，而是長期結構性變革。隨著AI從訓練階段邁向規�；�推理應用，“以存代算”技術成為企業降本增效的核心路徑，進一步拉高高端存儲需求。數據顯示，2025年第三季度DRAM產業營收季增30.9%達414億美元，企業級SSD營收季增28%達65.4億美元，創年度新高，印證了AI驅動的需求爆發。

頭部廠商產能“棄低追高”，中低端市場供需缺口擴大。面對AI需求的高利潤誘惑，掌控全球超90% DRAM市場的三星、SK海力士、美光做出明確戰略選擇，將80%以上的新增先進產能轉向HBM與服務器級DDR5，同時主動削減甚至停產DDR4等成熟制程產品。

更關鍵的是，生產1GB HBM消耗的晶圓面積是傳統DRAM的3倍，即便晶圓廠滿負荷運轉，留給手機、PC、汽車等傳統領域的產能也大幅縮水，這種產能傾斜直接導致中低端市場供需失衡。體現在價格上，2024年底至2025年12月，16GB DDR4內存條價格暴漲1800%，三星2026年第一季度NAND閃存供應價格上調100%，遠超此前預測的33%-38%。

全球存儲芯片供需失衡，為國產廠商提供了難得的替代窗口。從業績數據來看，除佰維存儲、兆易創新等企業的高增長外，長鑫存儲2025年DRAM出貨量同比增長50%，全球市場份額從6%提升至8%，首次實現年度扭虧為盈，凈利潤區間達20-25億元，其DDR4產品在國內消費電子與工業領域的替代率持續提升。

長江存儲在QLC、TLC NAND閃存技術上實現突破，2025年出貨量穩居全球前十，旗下消費級SSD產品憑借性價比優勢，去年在國內市場份額突破12%。

封測環節，通富微電（002156.SZ）凈利潤預測區間11-13.5億元，同比增速上限達99.24%，公司募資44億元用于存儲封測產能升級，已成為國內少數能承接HBM封測訂單的企業。

與此同時，國產廠商加速資本化與產業鏈協同布局：兆易創新2026年1月完成H股上市，發售價162.00港元/股，募資凈額46.11億港元（約42億元人民幣），用于NOR Flash與DRAM技術研發；長鑫科技遞交科創板IPO申請，擬募資295億元建設先進DRAM生產線，標志著國產存儲從“技術突破”向“規�；瘮U張”邁進。

2025-2026年的存儲芯片“超級周期”，本質上是AI技術革命與全球產能重構共同催生的行業變革，國產概念股業績分化正是這場變革的真實寫照。頭部企業憑借技術與規模壁壘搶占高端訂單，細分賽道黑馬依托精準布局實現爆發式增長，而技術滯后、適配能力不足的企業則在周期中陷入困境，行業“馬太效應”進一步加劇。

從行業前景來看，存儲芯片緊缺格局預計持續至2027年，部分機構預判可能延伸至2028年，AI服務器、數據中心等需求將持續為行業增長提供動力。TrendForce集邦咨詢預測，2026年全球存儲芯片市場規模將達5516億美元，同比增長134%。

對于國產廠商而言，這既是替代機遇，也是技術攻堅的考驗——唯有持續加大研發投入，補齊高端領域短板，推動產業鏈上下游協同，才能在全球存儲芯片競爭格局中占據更重要的位置。

在勝馬財經看來，對于投資者，需理性看待行業分化，頭部龍頭與細分賽道優質企業的業績增長具備持續性，可重點關注技術壁壘與訂單儲備；而依賴傳統業務、缺乏核心競爭力的企業，需警惕業績進一步下滑風險。隨著AI技術的持續滲透與國產替代的加速推進，存儲芯片行業將迎來更深刻的結構性變革，而這場變革也將重塑全球半導體產業的競爭格局。

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       原文標題 : AI驅動存儲芯片超級周期