DRAM
動態隨機存取存儲器（Dynamic Random Access Memory，DRAM）是一種半導體存儲器，主要的作用原理是利用電容內存儲電荷的多寡來代表一個二進制比特（bit）是1還是0。由于在現實中晶體管會有漏電電流的現象，導致電容上所存儲的電荷數量并不足以正確的判別數據，而查看詳情>導致數據毀損。因此對于DRAM來說，周期性地充電是一個無可避免的要件。由于這種需要定時刷新的特性，因此被稱為“動態”存儲器。相對來說，靜態存儲器（SRAM）只要存入數據后，縱使不刷新也不會丟失記憶。
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西部數據發布全新內存固態盤：近DRAM的性能，4TB容量
根據西部數據官方的消息，西數發布了新款Ultrastar® DC ME200 內存擴展固態盤，可優化內存系統容量／性能，從而運行對內存有著高要求的應用，滿足當今實時分析和業務洞察的需求。
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中興事件再起，美國發布“晉華禁令”，這次遭殃的是存儲芯片DRAM
具體來說，美國方面認為福建晉華即將大規模生產的DRAM，其技術可能源于美國，且量產之后會威脅到美國軍用系統供應商的長期經營利益。
