IGBT
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低，載查看詳情>流密度大，但驅(qū)動(dòng)電流較大；MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小，開(kāi)關(guān)速度快，但導(dǎo)通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn)，驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開(kāi)關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。
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汽車電動(dòng)化和智能化的雙重推進(jìn)下，IGBT成汽車半導(dǎo)體硬核賽道？
－ 這是 海豚投研 的第 279 篇原創(chuàng)文章 －特斯拉、蔚小理在生活周邊越來(lái)越多地出現(xiàn)，新能源車的快速滲透直接帶來(lái)了寧德時(shí)代等電池行業(yè)的崛起。而本輪新能源車的發(fā)展，帶來(lái)的不僅是動(dòng)力方式的轉(zhuǎn)變，還有自動(dòng)駕駛、智能座艙等智能化的趨勢(shì)
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